氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，憑借其超高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、優(yōu)異的耐高溫性能以及出色的紫外光響應(yīng)特性，正成為高功率電子器件、深紫外光電器件等領(lǐng)域的研發(fā)熱點(diǎn)。精準(zhǔn)測(cè)試其電學(xué)特性（如載流子濃度、遷移率、電阻率等），也是材料研究與器件優(yōu)化的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。  

上海大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)通過霍爾效應(yīng)測(cè)試，對(duì)不同Ta摻雜濃度的氧化鎵薄膜進(jìn)行了系統(tǒng)化測(cè)試。通過精準(zhǔn)獲取載流子濃度與遷移率數(shù)據(jù)，團(tuán)隊(duì)成功建立了摻雜濃度與電學(xué)性能的關(guān)聯(lián)模型，為高性能氧化鎵器件的設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化提供了關(guān)鍵支撐！  

針對(duì)薄膜材料的特殊需求，霍爾效應(yīng)測(cè)試通過范德堡法，可快速、準(zhǔn)確地測(cè)定以下核心參數(shù)：  

電阻率——揭示材料導(dǎo)電性能；

霍爾系數(shù)——判斷載流子類型（N/P型）；

載流子濃度——評(píng)估摻雜效率；

遷移率——評(píng)估材料電荷傳輸能力；

方阻——為器件工藝優(yōu)化提供依據(jù)；

無論是對(duì)輕摻雜還是重?fù)诫s的Ga?O?，霍爾測(cè)試均能提供穩(wěn)定、重復(fù)性高的測(cè)試結(jié)果，助力科研團(tuán)隊(duì)突破材料性能瓶頸。