在半導體材料的研究進程中，精確測定不同溫度下半導體的霍爾效應，對深入探究其內(nèi)在性能至關重要。中科院半導體所也有聚焦于寬禁帶半導體的研究，需要掌握這類材料在不同溫度環(huán)境下的磁電特性。

起初，中科院半導體所配備的 LakeShore霍爾設備僅能實現(xiàn)常溫環(huán)境下的霍爾效應測試。隨著科研工作的深入推進，也對變溫環(huán)境下的測試有迫切需求。

我們精心打造了適配7900G永磁體的樣品臺組件，對原有的測試系統(tǒng)進行升級。通過這一升級，該測試系統(tǒng)成功實現(xiàn)了變溫環(huán)境下霍爾效應的測量。

此次與常溫霍爾測試儀聯(lián)用，液氮低溫恒溫器發(fā)揮了關鍵作用。它不僅營造出寬溫區(qū)且高精準度的溫度環(huán)境，還通過定制化設計的真空樣品腔室，滿足了客戶對磁場間距的嚴格要求。

最終中科院半導體所成功獲取了變溫下的載流子濃度數(shù)據(jù)。使得科研人員能夠清晰洞察材料在不同溫度下磁電性能的變化規(guī)律，為寬禁帶半導體的進一步研究和應用提供了堅實的數(shù)據(jù)支撐。